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       CMOS直讀光譜儀就是探測器從CCD換成了CMOS探測器，因為某些原因市場的發(fā)展方向是CMOS。在之后的市場較量中，隨著科技的不斷發(fā)展CMOS技術(shù)會有更大的發(fā)展。

       CMOS同時可指互補式金氧半元件及制程。在同樣的功能需求下。

       自1958年美國德克薩斯儀器公司（TI）發(fā)明集成電路（IC）后，隨著硅平面技術(shù)的發(fā)展，二十世紀六十年代先后發(fā)明了雙極型和MOS型兩種重要的集成電路，它標(biāo)志著由電子管和晶體管制造電子整機的時代發(fā)生了量和質(zhì)的飛躍。

       MOS是：金屬-氧化物-半導(dǎo)體（Metal-Oxide-Semiconductor）結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC（Complementary MOS Integrated Circuit）。

創(chuàng)想CMOS直讀光譜儀

       數(shù)字集成電路按導(dǎo)電類型可分為雙極型集成電路（主要為TTL）和單極型集成電路（CMOS、NMOS、PMOS等）。CMOS電路的單門靜態(tài)功耗在毫微瓦（nw）數(shù)量級。

       早期的CMOS元件和主要的競爭對手BJT相比，很容易受到靜電放電（ElectroStatic Discharge,ESD）的破壞。而新一代的CMOS芯片多半在輸出入接腳（I/O pin）和電源及接地端具備ESD保護電路，以避免內(nèi)部電路元件的閘極或是元件中的PN接面（PN-Junction）被ESD引起的大量電流燒毀。

       CMOS由PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成，它的特點是低功耗。由于CMOS中一對MOS組成的門電路在瞬間要么PMOS導(dǎo)通、要么NMOS導(dǎo)通、要么都截止，比線性的三極管(BJT）效率要高得多，因此功耗很低，因此，計算機里一個紐扣電池就可以給它長時間地提供電力。利用CMOS我們把攝像機，電腦，電視，平板等等變小變薄，于是CMOS慢慢進入光學(xué)光譜，改變我們的生活。廠商不進入這個市場就會失去先機。